檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="111"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文研製一高效率邊界導通模式之升壓型功率因數修正器，經由系統架構動作推導和設計電路元件，運用軟體SIMetrix/SIMPLIS建置邊界導通模式之功率因數修正器之模型，驗證系統設計參數之可行性，並…
2
本論文提出應用於資料中心的隔離型直流-直流轉換器。電路架構採用能夠在全負載範圍達到一次側開關零電壓切換(ZVS)，二次側開關零電流切換(ZCS)的全橋LLC串聯諧振式轉換器，並使用寬能隙氮化鎵元件取…
3
在現在的社會中，有各式各樣的 3C 產品有供電需求，而為了追 求方便性，所以全世界透過設定統一化的連接埠和單一個電源供應器 來滿足需求。一般電源轉換器都是使用返馳式轉換器，因此轉換器以 高度隔離、簡…
4
本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓，我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法，使用KOH和UVO製程，成功將共振腔端面的表面…
5
本論文提出應用於資料中心48 V電壓調節模組的48 V降 6 V隔離式直流直流轉換器。本電路架構採用能夠在全附載範圍達到一次側開關零電壓切換、二次側開關零電流切換的全橋LLC串聯諧振轉換器，將開關的…
6
在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶於藍寶石基板(GaN-on-Sapphire)的晶圓，並搭配客製化的磊晶式DBR與介電質DBR做為下上反射鏡，成功製作出垂直共振腔面射型雷射(Vertical-cavi…
7
氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…